拋光是金相制備的重要一環(huán)，目的是去除細(xì)微磨痕，使材料表面成為光亮無痕的鏡面，從而避免假相，揭示材料的真實(shí)組織。以下是對(duì)金相制樣拋光攻略及難點(diǎn)的介紹：

拋光方法

機(jī)械拋光：通過拋光機(jī)上拋光織物和拋光微粉與試樣的摩擦作用，將磨面拋成光亮無痕的鏡面。這是*常用的拋光方法。

電解拋光：利用電解原理，通過陽極溶解去除金屬表面的雜質(zhì)，達(dá)到拋光效果。

化學(xué)拋光：通過化學(xué)反應(yīng)去除金屬表面的雜質(zhì)，適用于復(fù)雜形狀的零件。

拋光步驟

潤濕拋光布：啟動(dòng)電源，往拋光盤中心加水潤濕拋光布，拋光布的濕潤狀態(tài)為拿起試樣，試樣表面肉眼可見有變干的現(xiàn)象為佳，此時(shí)關(guān)閉電源。拋光布太濕，不利于拋光劑的黏附，導(dǎo)致拋光效果打折扣，使試樣中的硬質(zhì)相呈現(xiàn)浮雕；拋光布太干，拋屑不容易被離心力帶走且試樣容易發(fā)熱，易導(dǎo)致組織變形且臟污黏附在試樣表面。

加拋光劑：若使用拋光膏，則將拋光膏均勻抹在濕潤拋光布的半徑1/3至1/2處（建議在拋光布上畫圈或十字，啟動(dòng)拋光盤5秒左右關(guān)閉電源），涂抹方式和用量根據(jù)習(xí)慣而定。若使用拋光液，每次加液前B須搖晃洗瓶或杯子，確保拋光液混合均勻，少量多次在拋光盤中心附近不斷加入拋光微粉乳液。

拋光：啟動(dòng)拋光盤，拿起試樣，先在拋光盤靠中心位置輕輕接觸拋光布，然后再均勻地輕壓在拋光盤上，注意磨痕應(yīng)與拋光盤旋轉(zhuǎn)切線方向垂直，將試樣由拋光盤中心至邊緣緩慢移動(dòng)，如果允許可以并做輕微逆拋光盤轉(zhuǎn)動(dòng)。拋光過程中以少量多次加水來保證拋光布濕潤狀態(tài)。拋光后期，試樣表面無劃痕后，可以進(jìn)行1分鐘左右水拋（直接加水沖洗干凈拋光布，然后拋光過程中只加較多的水），這樣會(huì)使表面更加干凈。整個(gè)拋光時(shí)間不建議超過5分鐘，拋光時(shí)間久，容易產(chǎn)生拋痕、小黑點(diǎn)、甩尾、表面發(fā)灰黑色、浮雕等不良現(xiàn)象。

表面清理：在拋光過程中拋光布變干需拿起試樣加水，此時(shí)拿起試樣觀察并用酒精棉球擦拭，確保試樣表面干凈狀態(tài)再進(jìn)行拋光。

拋光介質(zhì)

拋光布：

長絨拋光布：適用于硬黑色金屬快速拋光。

中短絨拋光布：適用于精拋。

微/無絨拋光布：適用于粗拋。

發(fā)泡材料拋光布：適用于精拋，拋光平面性好，浮凸小。

拋光劑：金剛石具有高硬度、高拋光速度，能用于大部分材料的拋光制備。常用粒度范圍在0.25μm~15μm，根據(jù)試樣材料的不同，有水基、油基及乙醇基可供選擇。對(duì)于較軟或拋光要求較高的試樣，可選用0.3μm以至0.05μm的氧化鋁或二氧化硅拋光液。

拋光難點(diǎn)及解決方法

拋光布的選擇：不同的材料需要選用相應(yīng)的拋光布。硬、低回彈拋光布拋光效率高，平面性好，不易浮凸；軟、彈性好的拋光布吸震性好，適合精拋，去除微小劃痕。

拋光劑的使用：拋光劑的使用量和濃度需要適中。噴灑太多會(huì)造成不必要的浪費(fèi)，金剛石也容易鑲?cè)霕悠穬?nèi)，造成拋光面質(zhì)量不佳；噴灑太少，劃痕較難去除，拋光時(shí)間較長，導(dǎo)致試樣發(fā)熱或表面變形，使拋光面變得灰暗且有黑斑。

拋光時(shí)間的控制：拋光時(shí)間不宜過長，以免長時(shí)間拋光使樣品表面金屬變形及拋出麻點(diǎn)。

拋光壓力的控制：拋光時(shí)壓力要適中，且隨著拋光時(shí)間增長，接觸壓力應(yīng)隨之變小。壓力太大可能導(dǎo)致試樣表面產(chǎn)生劃痕或變形。

拋光方向的控制：試樣磨痕方向應(yīng)與拋光布線速度方向垂直，以防止鋼中夾雜物及鑄鐵中的石墨產(chǎn)生拖尾現(xiàn)象。

理想拋光面

平滑光亮、無劃痕、無浮雕、無塑性變形、無非金屬夾雜物脫落。

總之，金相制樣拋光是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過程，需要掌握正確的拋光方法和技巧，并嚴(yán)格控制各項(xiàng)參數(shù)和條件才能獲得理想的拋光效果。